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A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMN10A11K
Package Outline Dimensions
DIM
Inches
Millimeters
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Millimeters
Min
Max
Min
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Min
Max
A
0.086
0.094
2.18
2.39
e
0.090 BSC
2.29 BSC
A1
b
-
0.020
0.005
0.035
-
0.508
0.127
0.89
H
L
0.370
0.055
0.410
0.070
9.40
1.40
10.41
1.78
b2
b3
0.030
0.205
0.045
0.215
0.762
5.21
1.14
5.46
L1
L2
0.108 REF
0.020 BSC
2.74 REF
0.508 BSC
c
c2
D
D1
E
E1
0.018
0.018
0.213
0.205
0.250
0.170
0.024
0.023
0.245
-
0.265
-
0.457
0.457
5.41
5.21
6.35
4.32
0.61
0.584
6.22
-
6.73
-
L3
L4
L5
θ 1°
θ °
-
0.035
0.025
0.045
0°
0°
-
0.065
0.040
0.060
10°
15°
-
0.89
0.635
1.14
0°
0°
-
1.65
1.016
1.52
10°
15°
-
ZXMN10A11K
Document Number DS32058 Rev. 2 - 2
7 of 8
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
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